索尼放出全新堆栈式CMOS传感器技术

　　近日，索尼半导体第二研究部门的Keiichi Nakazawa进一步解析了全新设计的首款两层晶体管像素的堆叠式CMOS新型图像传感器及制造细节。据其介绍，这款CMOS实现了饱和信号水平近乎翻倍的处理能力。

　　按照Keiichi Nakazawa说法，因为传感器的像素非常小，光电二极管和像素晶体管对准精度达到了纳米级，因此使用了一项名为为3D顺序集成的工艺技术，会在生产过程中直接衬底连接在一起，而不是像传统那样，在生产完芯片后再连接在一起。同时索尼使用新的连接结构，让耐热性从传统400℃提升到1000℃。

　　根据索尼官方介绍，这款两层晶体管像素的堆叠式CMOS图像传感器能够在不增加手机传感器尺寸的下提升手机影像画质，但索尼官方并未公布何时能够量产和应用于手机设备。